STB185N55F3 datasheet
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STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:
STB185N55F3
库存数量:
可订货
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件
STB185N55F3 View All Specifications
产品目录绘图
ST Series D2PAK
标准包装
1,000
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6800pF @ 25V
功率 - 最大
330W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-7940-2
STB185N55F3-ND
相关资料
属性
链接
代理商
STB185N55F3
STB18N55M5
STB18N60M2
STB18N65M5
STB18NF25
STB18NF30
供应商
公司名
电话
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
深圳市中平科技有限公司
0755-83946385
赖先生
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市琦凌凯科技有限公司
13316482149
彭先生
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-83225692
唐先生
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123456
测试
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
13760200702
李先生
深圳市轩盛达电子有限公司
15889328483
陈
深圳市科思奇电子科技有限公司
0755-83245050
林小姐/欧阳先生
STB185N55F3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,000
3.96984
3969.84
2,000
3.771348
7542.696
5,000
3.629568
18147.84
10,000
3.516144
35161.44
25,000
3.40272
85068
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