买卖IC网 >> 产品目录43554 >> STB185N55F3 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:

STB185N55F3

库存数量:可订货
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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产品目录绘图 ST Series D2PAK
标准包装 1,000
系列 STripFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6800pF @ 25V
功率 - 最大 330W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 497-7940-2
STB185N55F3-ND
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
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深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司 13760200702 李先生
深圳市轩盛达电子有限公司 15889328483
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
  • STB185N55F3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 3.96984 3969.84
    2,000 3.771348 7542.696
    5,000 3.629568 18147.84
    10,000 3.516144 35161.44
    25,000 3.40272 85068